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SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2304DDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.46 EUR
514+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay TSI2304dds_VISHAY_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
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308+0.56 EUR
489+0.35 EUR
635+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
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190+0.92 EUR
308+0.55 EUR
489+0.33 EUR
635+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2304dds.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 37220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
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3000+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 148776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
372+0.62 EUR
527+0.4 EUR
610+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
372+0.62 EUR
527+0.4 EUR
610+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay doc65175.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
376+0.46 EUR
514+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 TSI2304dds_VISHAY_0001.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
308+0.56 EUR
489+0.35 EUR
635+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 doc65175.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
190+0.92 EUR
308+0.55 EUR
489+0.33 EUR
635+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 37220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 148776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
218+1.15 EUR
372+0.62 EUR
527+0.4 EUR
610+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
218+1.15 EUR
372+0.62 EUR
527+0.4 EUR
610+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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