SI2307-TP

SI2307-TP Micro Commercial Components


si2307sot-23.pdf Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2307-TP Micro Commercial Components

Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.

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SI2307-TP SI2307-TP Hersteller : Micro Commercial Components (MCC) SI2307_SOT_23_-3366477.pdf MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
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SI2307-TP SI2307-TP Hersteller : MCC (Micro Commercial Components) SI2307(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
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SI2307-TP SI2307-TP Hersteller : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D915787CB660D3&compId=SI2307.pdf?ci_sign=ba225b786f2cc8d83ad1d9a477822e8d56eaf05c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -12A; 1.1W
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 138mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.1nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI2307-TP SI2307-TP Hersteller : MCC (Micro Commercial Components) SI2307(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
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SI2307-TP SI2307-TP Hersteller : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D915787CB660D3&compId=SI2307.pdf?ci_sign=ba225b786f2cc8d83ad1d9a477822e8d56eaf05c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -12A; 1.1W
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 138mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.1nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
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