SI2307CDS-T1-GE3. VISHAY

Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 2.7, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung Pd: 1.1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 1.1, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: P Channel, Kanaltyp: P Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.138, Rds(on)-Prüfspannung: 20, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).