Produkte > VISHAY > SI2308BDS-T1-E3.
SI2308BDS-T1-E3.

SI2308BDS-T1-E3. VISHAY

3817111.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.66W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 43495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
227+1.02 EUR
269+0.8 EUR
331+0.65 EUR
360+0.6 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI2308BDS-T1-E3. VISHAY

Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.66W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, directShipCharge: 25.