Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Produktcode: 168915
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SI2308BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 42.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay doc69958.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.79 EUR
331+0.52 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay doc69958.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.29 EUR
224+0.76 EUR
330+0.5 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 si2308bds.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 si2308bds.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 doc69958.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
224+0.79 EUR
331+0.52 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 doc69958.pdf
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
137+1.29 EUR
224+0.76 EUR
330+0.5 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH