auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 217+ | 0.69 EUR |
| 328+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2308BDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.66W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2308BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1.06W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 156mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1.06W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 156mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A |
auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 135189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
auf Bestellung 9853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.66W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 33198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
SI2308BDS-T1-E3 Produktcode: 168915
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI2308BDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |