SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI2308BDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 35199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 209865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 35199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 Produktcode: 172429
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : VISHAY |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 2.3 A Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 190/4,5 |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
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