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SI2309CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix


si2309cd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
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Technische Details SI2309CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm.

Weitere Produktangebote SI2309CDS-T1-BE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2309cd.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 60V 1.2A
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SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
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SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-T1-BE3 VISHAY si2309cd.pdf Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
270+0.86 EUR
324+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
auf Bestellung 2417 Stücke:
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130+1.93 EUR
270+0.86 EUR
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Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
directShipCharge: 25
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P-CH 60V 1.2A
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Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 42AJ0557
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Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
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