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SI2309CDS-T1-GE3

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
auf Bestellung 100100 Stücke:
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3000+0.31 EUR
6000+0.28 EUR
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21000+0.25 EUR
30000+0.24 EUR
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8693 Stücke:
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237+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 7307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
119+0.6 EUR
168+0.43 EUR
194+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.2 EUR
190+0.74 EUR
291+0.46 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
auf Bestellung 100275 Stücke:
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14+1.3 EUR
22+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2309cd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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100+0.53 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15597 Stücke:
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SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Транзистори
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SI2309CDS-T1-GE3 Vishay si2309cd.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.24 EUR
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
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Anzahl Preis
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
auf Bestellung 100100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.31 EUR
6000+0.28 EUR
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15000+0.26 EUR
21000+0.25 EUR
30000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 7307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
119+0.6 EUR
168+0.43 EUR
194+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1193 Stücke:
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Anzahl Preis
120+1.2 EUR
190+0.74 EUR
291+0.46 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
auf Bestellung 100275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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22+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 104115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.32 EUR
10+0.82 EUR
100+0.53 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI2309CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Транзистори
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SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
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