Produkte > VISHAY > SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2309CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 33847757-5
Price: 750 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.25 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.19 EUR
15000+	0.17 EUR
21000+	0.16 EUR
30000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SI2309CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI2309CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 5.16 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.26 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.19 EUR
15000+	0.17 EUR
30000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.34 EUR
12000+	0.3 EUR
18000+	0.27 EUR
24000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 5341 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
97+	0.74 EUR
126+	0.57 EUR
169+	0.42 EUR
338+	0.21 EUR
358+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 97

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

auf Bestellung 5341 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
97+	0.74 EUR
126+	0.57 EUR
169+	0.42 EUR
338+	0.21 EUR
358+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 97

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1052 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
162+	0.9 EUR
240+	0.58 EUR
341+	0.39 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 162

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23

auf Bestellung 140685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	0.97 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.29 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
19+	0.97 EUR
26+	0.69 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0010613156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 10215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3
Produktcode: 173271

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 10215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
100+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	5.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH