SI2312CDS-T1-BE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
directShipCharge: 25
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 178+ | 1.4 EUR |
| 290+ | 0.8 EUR |
| 451+ | 0.48 EUR |
| 596+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details SI2312CDS-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm.
Weitere Produktangebote SI2312CDS-T1-BE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SI2312CDS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI2312CDS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI2312CDS-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
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Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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| SI2312CDS-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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