SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 15000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2312CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
auf Bestellung 76749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 39803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 135957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 138218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2312CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 4306 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 Produktcode: 180745
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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