Weitere Produktangebote SI2312CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 89164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2312CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI2312CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI2312CDS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.26 EUR |
| 10+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |
| SI2312CDS-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI2312CDS-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)