Weitere Produktangebote SI2312CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |