SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2315BDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23 Power dissipation: 1.19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2572 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23 Power dissipation: 1.19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 2572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V |
auf Bestellung 165830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V |
auf Bestellung 14431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2315BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |