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SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3 Vishay Siliconix


si2318ds.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
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Technische Details SI2318DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2318ds.pdf MOSFETs 40V 6A
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si2318ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : Vishay 72322.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2318DS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2318ds.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318ds
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2318ds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI2318DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Case: SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
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