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SI2319DDS-T1-BE3 VISHAY


si2319dds.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Technische Details SI2319DDS-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2319DDS-T1-BE3 SI2319DDS-T1-BE3 VISHAY si2319dds.pdf Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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SI2319DDS-T1-BE3 Vishay Semiconductors si2319dds.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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