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SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2323cds.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote SI2323CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
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282+0.51 EUR
420+0.34 EUR
425+0.33 EUR
543+0.25 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.84 EUR
276+0.51 EUR
282+0.48 EUR
420+0.31 EUR
425+0.29 EUR
543+0.22 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
116+0.62 EUR
168+0.43 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay si2323cds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.03 EUR
203+0.7 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323cds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
auf Bestellung 6345 Stücke:
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11+1.69 EUR
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500+0.54 EUR
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2323cds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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10+1.14 EUR
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1000+0.55 EUR
3000+0.49 EUR
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
282+0.51 EUR
420+0.34 EUR
425+0.33 EUR
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1000+0.15 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
173+0.84 EUR
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282+0.48 EUR
420+0.31 EUR
425+0.29 EUR
543+0.22 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
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116+0.62 EUR
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Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPreis
141+1.03 EUR
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SI2323CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
auf Bestellung 6345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.69 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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AnzahlPreis
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2323CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 26337 Stücke:
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