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SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3 Vishay


si2323dds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2323DDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
145+0.49 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
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500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2323dds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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10+0.74 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
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17+1.06 EUR
26+0.68 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010743890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4362 Stücke:
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010743890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4362 Stücke:
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2148568.pdf Description: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2323dds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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