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SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3 Vishay


doc72024.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2323DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.

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SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc72024.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2323ds.pdf MOSFETs 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
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SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2323ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
auf Bestellung 1735 Stücke:
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SI2323DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2323ds.pdf P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
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Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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