auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.44 EUR |
| 6000+ | 0.4 EUR |
| 9000+ | 0.37 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2325DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI2325DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 16174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 750mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; Idm: -1.6A; 0.48W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -0.43A Pulsed drain current: -1.6A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; Idm: -1.6A; 0.48W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -0.43A Pulsed drain current: -1.6A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |