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Technische Details SI2325DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2325DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.29 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 24048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 750mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
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| SI2325DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2325DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |