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Technische Details SI2328DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2328DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.36 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.92A Power dissipation: 0.47W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3192 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.92A Power dissipation: 0.47W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 12336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V |
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