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SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3 Vishay


si2329ds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2329DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2329ds.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2329ds.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
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SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2329ds.pdf MOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-23
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SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2329ds.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
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SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS84989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2329DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI2329DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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