SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.43 EUR |
| 6000+ | 0.4 EUR |
| 9000+ | 0.38 EUR |
| 15000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI2333CDS-T1-E3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V |
auf Bestellung 65328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V |
auf Bestellung 19197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2333CDS-T1-E3 |
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auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2333CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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