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SI2333CDS-T1-GE3

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Produktcode: 183755
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+0.74 EUR
238+0.73 EUR
288+0.58 EUR
290+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.88 EUR
236+0.71 EUR
238+0.68 EUR
288+0.54 EUR
290+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.38 EUR
100+0.86 EUR
153+0.56 EUR
250+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay si2333cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.43 EUR
188+0.92 EUR
250+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
auf Bestellung 10970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2333cd.pdf MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
auf Bestellung 9548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.51 EUR
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SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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238+0.73 EUR
288+0.58 EUR
290+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
199+0.88 EUR
236+0.71 EUR
238+0.68 EUR
288+0.54 EUR
290+0.51 EUR
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1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+1.38 EUR
100+0.86 EUR
153+0.56 EUR
250+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1656 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
123+1.43 EUR
188+0.92 EUR
250+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
auf Bestellung 10970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
auf Bestellung 9548 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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