SI2333DS-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.07 EUR |
| 10+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.64 EUR |
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Technische Details SI2333DS-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V.
Weitere Produktangebote SI2333DS-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SI2333DS-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI2333DS-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI2333DS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2333DS-T1-E3 - P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FULL REEL Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 4.1 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1.25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 1.25 Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI2333DS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI2333DS-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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| SI2333DS-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
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| SI2333DS-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
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| SI2333DS-T1-E3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2333DS-T1-E3 - P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI2333DS-T1-E3 - P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Stück im Wert von UAH
| SI2333DS-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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| SI2333DS-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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