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SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3 Vishay

si2336ds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2336DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
239+0.3 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2336ds.pdf MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SOT-23
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10+0.5 EUR
100+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
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Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2336ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2336DS-T1-GE3
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