auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 15000+ | 0.16 EUR |
| 21000+ | 0.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2336DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI2336DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 7431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 69864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 74278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
SI2336DS-T1-GE3 Produktcode: 165959
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|