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SI2337DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2337DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 9415870-5
Price: 1560 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details SI2337DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI2337DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.78 EUR

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2337DS-T1-GE3

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Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V

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12+	1.55 EUR
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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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128+	1.1 EUR
161+	0.85 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.46 EUR

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23

auf Bestellung 11975 Stücke:

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2+	2.15 EUR
10+	1.29 EUR
100+	1 EUR
250+	0.99 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0008073331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors

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131+	0.55 EUR
139+	0.52 EUR
3000+	0.5 EUR

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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10+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V

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Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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