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SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3 VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04 Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
131+0.55 EUR
138+0.52 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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Technische Details SI2337DS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI2337DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.78 EUR

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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.55 EUR
14+1.27 EUR
100+0.99 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2337ds.pdf MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.29 EUR
100+1 EUR
250+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI2337DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2337ds.pdf P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
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