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Technische Details SI2338DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2338DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 28mΩ Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 28mΩ Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A |
auf Bestellung 1382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 15678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 26950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2338DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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