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SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3 Vishay

si2342ds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2342DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
151+0.47 EUR
183+0.39 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: SOT23
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si2342ds.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SOT-23
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4+0.75 EUR
10+0.53 EUR
100+0.39 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.30 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
auf Bestellung 7829 Stücke:
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Anzahl Preis
21+0.84 EUR
30+0.59 EUR
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2342ds.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010743893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2342DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 6 A, 0.014 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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