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Technische Details SI2367DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2367DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.65 EUR
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 17716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V |
auf Bestellung 7986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2367DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.066 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2367DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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