Produkte > VISHAY > SI2369BDS-T1-GE3
SI2369BDS-T1-GE3

SI2369BDS-T1-GE3 Vishay


si2369bds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI2369BDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0225 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI2369BDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2369bds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.20 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2369bds.pdf MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
auf Bestellung 362072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.64 EUR
100+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2369bds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
auf Bestellung 17262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.09 EUR
27+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2369bds.pdf Description: VISHAY - SI2369BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0225 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2369bds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2369bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2369bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH