auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.19 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2369DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2369DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 13594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 69971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.6A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Case: SOT23 |
auf Bestellung 2065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.6A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2065 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V |
auf Bestellung 46203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 108764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
auf Bestellung 77385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
SI2369DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |