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SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3 Vishay

si2369d.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2369DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13594 Stücke:
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507+0.35 EUR
526+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
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314+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay si2369d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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208+0.83 EUR
311+0.54 EUR
314+0.51 EUR
409+0.38 EUR
413+0.36 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY 2045695.pdf Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 77385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.9 EUR
337+0.69 EUR
435+0.49 EUR
685+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.04 EUR
120+0.71 EUR
168+0.51 EUR
194+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2369d.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 256687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+0.7 EUR
100+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 108446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.98 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 34602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.87 EUR
203+1.14 EUR
249+0.86 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
507+0.35 EUR
526+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
314+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+0.83 EUR
311+0.54 EUR
314+0.51 EUR
409+0.38 EUR
413+0.36 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 2045695.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 77385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
275+0.9 EUR
337+0.69 EUR
435+0.49 EUR
685+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
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SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+1.04 EUR
120+0.71 EUR
168+0.51 EUR
194+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 256687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.54 EUR
10+0.7 EUR
100+0.62 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 108446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.55 EUR
22+0.98 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 34602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.87 EUR
203+1.14 EUR
249+0.86 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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