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SI2374DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2374DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 9484293-5
Price: 330 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details SI2374DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI2374DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2374DS-T1-GE3

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SI2374DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V

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54+	0.33 EUR
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SI2374DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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451+	0.31 EUR
455+	0.29 EUR
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759+	0.16 EUR
810+	0.15 EUR

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SI2374DS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF6F0320A733D7&compId=si2374ds.pdf?ci_sign=ce09bdc5203bdb11db47d6c64c54bc4e7466471f

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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132+	0.54 EUR
206+	0.35 EUR
254+	0.28 EUR
298+	0.24 EUR
407+	0.18 EUR
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Hersteller : VISHAY

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SI2374DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23

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10+	0.52 EUR
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SI2374DS-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2374DS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V

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