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Technische Details SI2377EDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI2377EDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 12743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.6nC Version: ESD |
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| SI2377EDS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| SI2377EDS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 3000+ | 0.21 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 223+ | 1.12 EUR |
| 285+ | 0.81 EUR |
| 430+ | 0.5 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 12743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.25 EUR |
| 10+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
Version: ESD
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