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Technische Details SI2377EDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm.
Weitere Produktangebote SI2377EDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 24672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 |
auf Bestellung 12645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm |
auf Bestellung 6140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm |
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SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| 3000+ | 0.23 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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| SI2377EDS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.23 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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|---|---|
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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|---|---|
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
auf Bestellung 12000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.31 EUR |
| 9000+ | 0.27 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2898 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 339+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 24672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 0.6 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.31 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
auf Bestellung 12645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.36 EUR |
| 26+ | 0.83 EUR |
| 50+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
auf Bestellung 6140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 132+ | 1.9 EUR |
| 292+ | 0.8 EUR |
| 332+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.39 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
auf Bestellung 6140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 132+ | 1.9 EUR |
| 292+ | 0.8 EUR |
| 332+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.39 EUR |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)