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Technische Details SI2377EDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI2377EDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V |
auf Bestellung 16891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 38300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2377EDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |