Produkte > VISHAY SILICONIX > SI2392BDS-T1-GE3
SI2392BDS-T1-GE3

SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2392bds.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.37 EUR
6000+0.34 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote SI2392BDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2392bds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si2392bds.pdf MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET SOT-23, 149 mohm a. 10V, 180 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 8832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.00 EUR
10+0.86 EUR
100+0.64 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.40 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2392bds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
auf Bestellung 12580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2392bds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2392bds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH