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SI2393DS-T1-GE3

SI2393DS-T1-GE3 Vishay

si2393ds.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2393DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0189ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 Vishay si2393ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2393ds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 Vishay si2393ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 27023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+1.26 EUR
268+0.87 EUR
447+0.48 EUR
541+0.39 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0189ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 27023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+1.26 EUR
268+0.87 EUR
447+0.48 EUR
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1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2393ds.pdf MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
auf Bestellung 192189 Stücke:
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3+1.29 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2393ds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
auf Bestellung 3190 Stücke:
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17+1.3 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 7.5A, SOT-23
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6000 Stücke:
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165+1.52 EUR
237+0.98 EUR
280+0.76 EUR
342+0.63 EUR
397+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2393DS-T1-GE3 VISH-S-A0023700490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 27023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
199+1.26 EUR
268+0.87 EUR
447+0.48 EUR
541+0.39 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 VISH-S-A0023700490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0189ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 27023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
199+1.26 EUR
268+0.87 EUR
447+0.48 EUR
541+0.39 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
auf Bestellung 192189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.29 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.3 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 7.5A, SOT-23
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
165+1.52 EUR
237+0.98 EUR
280+0.76 EUR
342+0.63 EUR
397+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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