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Technische Details SI2399DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.
Weitere Produktangebote SI2399DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 60542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V |
auf Bestellung 2613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
auf Bestellung 3889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
auf Bestellung 3889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3000+ | 0.24 EUR |
| 9000+ | 0.21 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 709+ | 0.25 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 9000+ | 0.24 EUR |
| 45000+ | 0.23 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 480+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23
auf Bestellung 60542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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|---|---|
| 3+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.83 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.32 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
auf Bestellung 2613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.51 EUR |
| 23+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 3889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 2.24 EUR |
| 196+ | 1.19 EUR |
| 253+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1500+ | 0.58 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 3889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 2.24 EUR |
| 196+ | 1.19 EUR |
| 253+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1500+ | 0.58 EUR |
| SI2399DS-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)