SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 0.88 EUR |
| 34+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.34 EUR |
| 1000+ | 0.30 EUR |
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Technische Details SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3127DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI3127DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI3127DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 391852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3127DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3127DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 12794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3127DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3127DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3127DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
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