SI3407DV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details SI3407DV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 4.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Weitere Produktangebote SI3407DV-T1-BE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI3407DV-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3407DV-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 4.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3407DV-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V |
auf Bestellung 5974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3407DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7.5A |
auf Bestellung 78405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI3407DV-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 174+ | 1.44 EUR |
| 304+ | 0.76 EUR |
| 360+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| SI3407DV-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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| 174+ | 1.44 EUR |
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| SI3407DV-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
auf Bestellung 5974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.46 EUR |
| 24+ | 0.9 EUR |
| 50+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| SI3407DV-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7.5A
MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7.5A
auf Bestellung 78405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.48 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |