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Si3410DV-T1-GE3

Si3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3410dv.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:

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Technische Details Si3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.1W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Si3410DV-T1-GE3 Si3410DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3410dv.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 19633 Stücke:
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Si3410DV-T1-GE3 Si3410DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3410dv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
auf Bestellung 12997 Stücke:
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12+1.48 EUR
19+0.93 EUR
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1000+0.55 EUR
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SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3410dv.pdf Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.1W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 15679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3410dv.pdf Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 4.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.1W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 15679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Si3410DV-T1-GE3 si3410dv.pdf
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SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3410dv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
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Si3410DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3410dv.pdf SI3410DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3410dv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
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