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Technische Details SI3437DV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.61 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.61ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI3437DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 123601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.61 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.61ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 12571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.61 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.61ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 12571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.61 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.61ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI3437DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI3437DV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |