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SI3458BDV-T1-GE3 Vishay

Name: SI3458BDV-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 251202-5
Price: 1320 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R

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Technische Details SI3458BDV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.

Weitere Produktangebote SI3458BDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.11 EUR

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

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SI3458BDV-T1-GE3

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SI3458BDV-T1-GE3

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R

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SI3458BDV-T1-GE3

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Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R

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SI3458BDV-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors

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