Produkte > VISHAY > SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3 Vishay


si3459bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI3459BDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI3459BDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.47 EUR
6000+0.46 EUR
9000+0.44 EUR
15000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
253+0.58 EUR
255+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
232+0.63 EUR
253+0.56 EUR
255+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 232
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 18695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.00 EUR
21+0.84 EUR
100+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 50794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.02 EUR
10+0.90 EUR
100+0.75 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2245828.pdf Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2245828.pdf Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.18 EUR
228+0.31 EUR
241+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH