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Technische Details SI3459BDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI3459BDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 50759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
auf Bestellung 18695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3459BDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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