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SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3 Vishay

si3459bd.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details SI3459BDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3.3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
9000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
121+0.7 EUR
141+0.61 EUR
148+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 38394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.09 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 17894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
15+1.49 EUR
50+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
211+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
211+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 Siliconix si3459bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-E3 TSI3459bdv
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+1.57 EUR
121+0.7 EUR
141+0.61 EUR
148+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 38394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.34 EUR
10+1.09 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 17894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.39 EUR
15+1.49 EUR
50+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
211+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3 VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
211+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-E3 TSI3459bdv
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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