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SI3469DV-T1-E3

SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3469dv.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:

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Anzahl Preis
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Technische Details SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Weitere Produktangebote SI3469DV-T1-E3 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3469dv.pdf MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm
auf Bestellung 22758 Stücke:
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10+0.90 EUR
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SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si3469dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
auf Bestellung 11069 Stücke:
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11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
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SI3469DV-T1-E3 Hersteller : VISHAY si3469dv.pdf 07+ TSSOP
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SI3469DV-T1-E3 Hersteller : VISHAY si3469dv.pdf 09+
auf Bestellung 126018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Hersteller : Vishay si3469dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin TSOP T/R
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SI3469DV-T1-E3 Hersteller : VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI3469DV-T1-E3 Hersteller : VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
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