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SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details SI3474DV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix si3474dv.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6
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3+1.33 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
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SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI3474DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
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SI3474DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
447+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 1465 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.33 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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SI3474DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4859 Stücke:
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181+1.38 EUR
268+0.87 EUR
385+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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