Produkte > VISHAY SILICONIX > SI3474DV-T1-GE3
SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3474dv.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI3474DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.31 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si3474dv.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 32243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.75 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
auf Bestellung 5144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.97 EUR
28+0.63 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3474dv.pdf SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH