SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI3474DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 32243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
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| SI3474DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |