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SI3483DDV-T1-BE3

SI3483DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3483ddv.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.31 EUR
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Technische Details SI3483DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote SI3483DDV-T1-BE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3483ddv.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 9742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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24+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 Vishay / Siliconix si3483ddv.pdf MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
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100+0.49 EUR
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3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
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SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 VISHAY si3483ddv.pdf Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI3483DDV-T1-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 9742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.06 EUR
24+0.73 EUR
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
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Anzahl Preis
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500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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