| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.03 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details Si3493DDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote Si3493DDV-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI3493DDV-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI3493DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI3493DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI3493DDV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI3493DDV-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI3493DDV-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4972 Stücke:
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