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Si3552DV-T1-GE3

Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3552dv.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
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Technische Details Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.15W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active.

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SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
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Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3552dv.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
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Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3552dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
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Si3552DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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