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Si3932DV-T1-GE3

Si3932DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors


Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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Technische Details Si3932DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI3932DV-T1-GE3 SI3932DV-T1-GE3 VISHAY Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
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SI3932DV-T1-GE3 SI3932DV-T1-GE3 VISHAY Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
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Hersteller: VISHAY
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
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