Si3932DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
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Technische Details Si3932DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote Si3932DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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Si3932DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
auf Bestellung 80897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Si3932DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
auf Bestellung 68895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI3932DV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3932DV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si3932DV-T1-GE3 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Si3932DV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 3000+ | 0.45 EUR |
| 6000+ | 0.43 EUR |
| Si3932DV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.87 EUR |
| 18+ | 1.17 EUR |
| 50+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| SI3932DV-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 2.21 EUR |
| 202+ | 1.15 EUR |
| 278+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1500+ | 0.58 EUR |
| SI3932DV-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 2.21 EUR |
| 202+ | 1.15 EUR |
| 278+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1500+ | 0.58 EUR |
| Si3932DV-T1-GE3 |
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auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)