Produkte > VISHAY SILICONIX > Si4228DY-T1-GE3
Si4228DY-T1-GE3

Si4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4228dy.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.54 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details Si4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote Si4228DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
Si4228DY-T1-GE3 Si4228DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4228dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 8721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
17+1.08 EUR
100+0.84 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3 Si4228DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4228dy.pdf MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 62117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
10+0.62 EUR
100+0.59 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3 si4228dy.pdf
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4228DY-T1-GE3 SI4228DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4228dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4228dy.pdf SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH