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SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si4288dy.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
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Technische Details SI4288DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
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SI4288DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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SI4288DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
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