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SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix


si4423dy.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V 14A 3.0W 7.5mohm @ 4.5V
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Technische Details SI4423DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Pulsed drain current: -50A, Power dissipation: 3W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 11.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 175nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4423DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4423DY-T1-GE3 SI4423DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4423dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
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SI4423DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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