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Technische Details SI4425FDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.3 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4425FDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.40 EUR bis 1.39 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SO8 P CHAN 30V |
auf Bestellung 48039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
auf Bestellung 8362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.3 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18.3 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.8W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
P Channel MOSFET |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 18.3A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18.3A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 4.8W Case: SO8 On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SI4425FDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18.3A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 4.8W Case: SO8 On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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